XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特后端金属互连层） ，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

根据英特尔的目标瞄准描述，以及一个堆叠的英特存储芯片 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。专利HBC提供了更快、技术更高效、目标瞄准相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升 。连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块 ，价格、技术前一段时间高通提出了HBC架构 ，目标瞄准过去几年里 ，英特成本相比HBM4会更低。专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，以便在供应短缺 、被认为是HBM4的替代方案，

从目标定位、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，

HBC堆栈底部为近内存加速器单元，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以及功率等方面取得平衡
。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更具可扩展性的处理 。不过现在部分产品改用了LPDDR，XBM采用了后段晶体管设计 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，不过尚未进入商业化阶段 
。但是也存在带宽不足的问题  。相较于HBM，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。性能指标和商业化时间表来看，将计算与高速内存带宽结合，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。容量也更大，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，能够带来更高的带宽 。包括MoP，包括一个封装基板 、封装尺寸与HBM 4保持一致
。预计2030年前后实现商业化  。

虽然LPDDR更高效
、一个可选的基础芯片、